产品概述

 

　　得微纳结构，直写面积高达12英寸，***小特征尺寸（宽度）可达1微米，适合掩膜，半导体，玻璃，晶体，薄膜等诸多衬底。

　　多波长激光直写光刻机提供竖直和扫描直写模式，确保直接轨迹偏离小于100nm。微型激光直写光刻机具有电动光学聚焦系统，提供快速精准的聚焦功能，从而适合各种厚度衬底的要求，并具有晶圆装载和卸载系统装备到衬底室供客户选配，增强清洁程度，提高工作量和用户安全程度。多波长激光直写光刻机兼容大多数商用光刻胶，比如SU8，shipley, AZ等，我们还对K-CL胶特别*化，用于微结构应用。

　　多波长激光直写光刻机特色非常紧凑的桌面型设计掩膜制作和激光直写激光光源375nm 或405nm 任选兼容所有商用光刻胶对比度高达1x20自动聚焦竖直直写或扫描直写模式多波长激光直写光刻机参数直线mm/s位移台分辨率：100nm重复精度：100nm晶圆直写面积：1-12英寸衬底厚度：250um-10mm激光光斑大小：0.5um-100um标准准直精度：500nm

三亿体育官方
上一篇：扬帆新材：目前一种可二次雕刻的双光子光刻胶及其制备 下一篇：飞秒激光直写光刻系统激光直写光刻机用于微纳结构光蚀